MIP2G40MD
Panasonic
596.79kb
Silicon mos type integrated circuits.
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📁 Related Datasheet
MIP2G50MD - Silicon MOSFET
(Panasonic)
インテリジェントパワーデバイス (IPD)
MIP2G50MD
シリコン MOS
ピークの PWM , のドレインピーク
の (でを ) フィードバックのによりを , , タイマを CLによるILIMIT2 りえで , ILIMITのが (VCC ) のラッチ .
MIP2G70MD - Silicon MOSFET
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MIP2G70MD
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ピークの PWM , のドレインピーク
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MIP251-10 - MIP25x-10 /16-IQ
(euroclamp)
MIP25x-10,16-IQ
GENERAL INFORMATION pitch: housing height: housing depth: dimensional class: wire section: clamp opening size: wire stripping: operat.
MIP252-10 - MIP25x-10 /16-IQ
(euroclamp)
MIP25x-10,16-IQ
GENERAL INFORMATION pitch: housing height: housing depth: dimensional class: wire section: clamp opening size: wire stripping: operat.
MIP281 - Silicon MOSFET
(Panasonic)
http:の//し.はsてeホmiー、coムn.ペpaーnとジasをo、niごc.しcoて.くjいpだまさすい、。。を13.5±0.3
MIP281
MOS
(IPD)
s
• MOS FET CMOS
• (85 VAC ∼ 274 VAC)
•(
)
•
s
• •.
MIP289 - Silicon MOS type integrated circuit
(Panasonic)
..
(IPD)
MIP289
MOS
I
• • , • IPD • 150 µA , , , IPD
1 2 3 4
6.3±0.2
Unit : mm
+0 0.25 –0.05
MOSFET
CMOS
,
9.4±0.3 8 7 5
.10
.
MIP2C10MP - Silicon MOS type integrated circuit
(Panasonic)
(IPD)
MIP2C10MP
MOS
■
• : 80% • • )
8
Unit : mm
(100 VAC
: 20 mW,
9.4±0.3
7
5
7.62±0.25 3.4±0.3 3.8±0.25 6.3±0.2
(
− 12
)
■
• • AC ( )
1 2 3.
MIP2C2 - High-Performance IPD
(Matsushita)
( DataSheet : .. )
r Undement p lo e Dev
Saves power during standby, enhances efficiency
MIP2C2 High-Performance IPD for Battery C.
MIP2C30MP - Silicon MOS-type IC
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http:の//し.はsてeホmiー、coムn.ペpaーnとジasをo、niごc.しcoて.くjいpだまさすい、。。03..64-+±00..002.を1533.8±0.25 6.3±0.2
はRoHS(EU 2002/95/EC)にしています。
(IPD)
MIP2C30MP
MOS.
MIP2C40MP - Silicon MOS Type Integrated Circuits
(Panasonic)
はRoHS(EU 2002/95/EC)にしています。
(IPD)
MIP2C40MP
MOS
■
• : 80% • • )
8
Unit : mm
(100 VAC
: 20 mW,
9.4±0.3
7
5
7.62±0.25 3.4±0.3 3.8±0.25 6.3±0.2
(.
