LAE4002S Datasheet, Transistor, Philipss

LAE4002S Features

• Transistor
• Diffused emitter ballasting resistors
• Self-aligned process entirely ion implanted and gold sandwich metallization
• Optimum temperature profile
• Exc

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Part number:

LAE4002S

Manufacturer:

Philipss

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📄 Datasheet

Description:

Npn microwave power transistor. NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a SOT100 metal ceramic package with emitter connected to the metallized li

LAE4002S Application

• Applications Common emitter class A linear power amplifiers up to 4 GHz. DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a SO

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LAE4002S

Philipss

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