HRC0203C
Renesas ↗ Technology
115.16kb
Silicon schottky barrier diode.
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📁 Related Datasheet
HRC0203B - Silicon Schottky Barrier Diode
(Hitachi Semiconductor)
HRC0203B
Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying
ADE-208-800(Z) Rev 0 June. 1999 Features
• Low forward voltage drop and suitable for high effi.
HRC0202A - Silicon Schottky Barrier Diode
(Renesas Technology)
HRC0202A
Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying
REJ03G0147-0600Z (Previous: ADE-208-210E) Rev.6.00 Nov.26.2003
Features
• Low forward voltage .
HRC0103A - Silicon Schottky Barrier Diode
(Hitachi Semiconductor)
HRC0103A
Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying
ADE-208-624 (Z) Rev 0 May. 1998 Features
• Low forward voltage drop and suitable for high effi.
HRC0103C - Silicon Schottky Barrier Diode
(Renesas)
HRC0103C
Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying
REJ03G0069-0300 Rev.3.00
Jan 09, 2009
Features
• Low reverse voltage drop and suitable for h.
HR-CR3A - 5A to 16A low-profile power relay
(HanKuk)
HR-CR3A HR
5A to 16A low-profile power relay
RoHS
P.C. BOARD POWER RELAY
Features
5mm lower in height than HR-CR3 series Wide contact arrangements .
HR-CR3N23 - 5A Power Relay
(HanKuk)
.
HR-CR7 - 10A High isolation structure Relay
(HanKuk)
HR-CR7
RoHS 대응품
Slim 1a, 10A High isolation structure Relay
특징
- 절연벽 구조로 Noise에 강함 - 접점과 코일 사이에 높은 절연 저항 : 10,000V
연면거리 및 공간거리 : 6mm - 높은 유입 전류 용량 .
HR-CR7DC05 - 10A High isolation structure Relay
(HanKuk)
HR-CR7
RoHS 대응품
Slim 1a, 10A High isolation structure Relay
특징
- 절연벽 구조로 Noise에 강함 - 접점과 코일 사이에 높은 절연 저항 : 10,000V
연면거리 및 공간거리 : 6mm - 높은 유입 전류 용량 .
HR-CR7DC06 - 10A High isolation structure Relay
(HanKuk)
HR-CR7
RoHS 대응품
Slim 1a, 10A High isolation structure Relay
특징
- 절연벽 구조로 Noise에 강함 - 접점과 코일 사이에 높은 절연 저항 : 10,000V
연면거리 및 공간거리 : 6mm - 높은 유입 전류 용량 .
HR-CR7DC09 - 10A High isolation structure Relay
(HanKuk)
HR-CR7
RoHS 대응품
Slim 1a, 10A High isolation structure Relay
특징
- 절연벽 구조로 Noise에 강함 - 접점과 코일 사이에 높은 절연 저항 : 10,000V
연면거리 및 공간거리 : 6mm - 높은 유입 전류 용량 .
