Q60215-Y1111 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor

Siemens Semiconductor Group

Description

BPY 62 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise sp.
Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip.

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Datasheet Specifications

Part number: Q60215-Y1111
Manufacturer: Siemens Semiconductor Group
File Size: 333.40 KB
Datasheet: Q60215-Y1111_SiemensSemiconductorGroup.pdf
Description: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor

Applications

* from Bereich von 420 nm bis 1130 nm q Hohe Linearität q Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) 420 nm to 1130 nm q High linearity q Hermetically sealed metal package (TO-18) mit Basisanschluβ, geeignet bis 125 °C q Gruppiert lieferbar Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und with base conne

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Siemens Semiconductor Group Q60215-Y1111-like datasheet