Q60215-Y1112 Datasheet (Siemens Semiconductor Group) - NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor

Q60215-Y1112, NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor

Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t

Q60215-Y1112 Features

* q Especially suitable for applications from Bereich von 420 nm bis 1130 nm q Hohe Linearität q Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) 420 nm to 1130 nm q High linearity q Hermetically sealed metal package (TO-18) mit Basisanschluβ, geeignet bis 125 °C q Gruppiert lieferbar Anwendungen q Lichtsch