Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3s) Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung Total power dissipation Symbol Symbol Top; Tstg
SFH 2030 SFH 2030 F Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 2030 SFH 2030 F Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 2030) und bei 880 nm (SFH 2030 F) q Kurze Schaltzeit (typ.
5 ns) q 5 mm-Plast
SFH203 Features
* q Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm (SFH 2030) and of 880 nm (SFH 2030 F) q Short switching time (typ. 5 ns) q 5 mm LED plastic package q Also available on tape Applications q Industrial electronics q For control and drive circuits q Light-reflecting switches for steady an
SFH203_SiemensSemiconductorGroup.pdf
Datasheet Details
SFH203
Siemens Semiconductor Group
199.02 KB
Pin photodiode.
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