BLV40N20 Overview
BLV40N20 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 低导通电阻 低反向传输电容 驱动简单 Preliminary SEP. 2009 BVDSS RDS(ON) ID 200V 50mΩ 40A 产品介绍 200V 40A 大功率 VDMOS 器件,导通电阻小、驱动简单,适合 PDP 驱动电路使用 最大额定参数( TC=25oC 除非另有说明 ) 符号 VDS VGS ID IDR 参数 源漏电压 栅源电压 连续漏极电流 脉冲漏极电流 (注释 1) 体二极管连续漏极电流 体二极管脉冲漏极电流(注释 1) 注释:.