BC338 Overview
BC337 / BC338 BC337 / BC338 NPN General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz Version 2006-05-30 Power dissipation Verlustleistung CBE Plastic case Kunststoffgehäuse 16 9 18 Weight approx. Kollektor-Emitter-Spannung Collector-Emitter-volt. 2) IC = 500 mA, IB = 50 mA VCEsat Kennwerte (Tj = 25°C) Min.

