MMBT4401 Datasheet | Diotec Semiconductor

Features General Purpose Three current gain groups pliant to Ro HS, REACH, Conflict Minerals 1) Mechanical Data 1) WEEE Halogen FREE Ro HS Pb Besonderheiten Universell anwendbar Drei Stromverstärkungsklassen Konform zu Ro HS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle 1=B 2=E 3=C Dimensions - Maße [mm] Weight approx. Case material Solder & assembly conditions 0.01 g UL 94V-0 260°C/10s Gewicht ca. Gehäusematerial Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Type Code 2X Remended plementary PNP transistors Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren MMBT4403 Maximum ratings 2) Collector-Emitter-voltage Kollektor-Emitter-Spannung Collector-Emitter-voltage Kollektor-Emitter-Spannung Emitter-Base-voltage Emitter-Basis-Spannung Collector current Kollektorstrom Power dissipation Verlustleistung Junction temperature - Sperrschichttemperatur Storage temperature - Lagerungstemperatur E-B open B open C open DC Grenzwerte 2) MMBT4401/-Q VCEO 40 V VCEO 60 V VEBO 6V IC 600 m A Ptot 300 m W 3) Tj -55...+150°C TS -55…+150°C 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 2 TA = 25°C, unless otherwise specified - TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben 3 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Lötpad je Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://.diotec./...