| Part number | CS4N60 |
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| Manufacturer | EDN |
| File Size | 277.74 KB |
| Description | VDMOS |
| Datasheet | CS4N60_EDN.pdf |
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.. 华晶分立器件 CS4N60(F) CS4N60(F)型 VDMOS 晶体管 2.1 极限值（除非另有规定，TC=25℃） 参 数 名 称 符号 漏源反向电压 漏极电流(连续) 漏极电流(脉冲) 栅源反向电压 单脉冲能量 热阻（结到壳） 热阻（结到环境） 耗散功率 最高结温 贮存温度 2.2 电参数（除非另有规定，TC=25℃） 2.2.1 截止特性 参 数 名 称 BVDSS ∆BVDSS/∆TJ IDSS IGSS 测 试 条 件 600 0.71 25 250 ±100 单位 V V/℃ µA nA 无锡华润华晶微电子有限公司 RDS(ON) VGS(TH) gfs 测 试 条 件 VGS=10V,ID=2.5A VDS = VGS, ID = 250µA VDS=15V, ID = 2.5A 规 范 值 最小 典型 最大
| Brand Logo | Part Number | Description | Other Manufacturers |
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CS4N60A3HD | Silicon N-Channel Power MOSFET | Huajing Microelectronics |
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CS4N60A3R | Silicon N-Channel Power MOSFET | Huajing Microelectronics |
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CS4N60A3TDY | Silicon N-Channel Power MOSFET | Huajing Microelectronics |
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CS4N60A4HD | Silicon N-Channel Power MOSFET | Huajing Microelectronics |
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CS4N60A4R | Silicon N-Channel Power MOSFET | Huajing Microelectronics |
| Part Number | Description |
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