Datasheet Summary
3DD56/3DD57 型 NPN 硅低频大功率晶体管
参数符号
测试条件
规范值
单位
ABCDE F
PCM TC=75℃
ICM 极 限 Tjm 值 Tstg
Rth
VCE=10V IC=0.2A
3 175 -55~150
A ℃ ℃
℃/W
V(BR)CBO
ICB=3mA
≥30
≥50
≥80 ≥110 ≥150 ≥200
V(BR)CEO
ICE=3mA
≥30
≥50
≥80 ≥110 ≥150 ≥200
V(BR)EBO
IEB=5mA
≥5.0
直 ICBO
VCB=20V
≤0.5 mA
流 ICEO 参 IEBO 数...