3DD57 Overview
3DD56/3DD57 型 NPN 硅低频大功率晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 ABCDE F PCM TC=75℃ 10 W ICM 极 限 Tjm 值 Tstg Rth VCE=10V IC=0.2A 3 175 -55~150 10 A ℃ ℃ ℃/W V(BR)CBO ICB=3mA ≥30 ≥50 ≥80 ≥110 ≥150 ≥200 V V(BR)CEO ICE=3mA ≥30 ≥50 ≥80 ≥110 ≥150 ≥200 V V(BR)EBO IEB=5mA ≥5.0 V 直 ICBO.