EMD08N06E Datasheet | Excelliance MOS

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  60V  RDSON (MAX.)  8mΩ  ID  110A    UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1m H, ID=60A, RG=25Ω  L = 0.05m H  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  ±20  110  80  380  60  180  90  166  68  ‐55 to 150  V  A  m J  W  °C  100% UIS testing in condition of VD=30V, L=0.1m H, VG=10V, IL=40A, Rated VDS=60V N-CH  THERMAL RESISTANCE R...