EMDJ0N20J Datasheet | Excelliance MOS

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  200V  RDSON (MAX.)  1Ω  ID  0.5A  G   Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range    THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  Junction‐to‐ Ambient  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.  2Duty cycle  1％                  VGS  ID  IDM  PD  Tj, Tstg  TYPICAL ...