EMZF50P02J Datasheet | Excelliance MOS

    P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐20V  RDSON (MAX.)  44mΩ  ID  ‐4A      Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free  ESD Protection -  up to 2KV HBM  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  VGS  ±8  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 70 °C  ID  IDM  ‐4  ‐3.5  ‐16  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  PD  Tj, Tstg  1.25  0.8  ‐55 to 150        THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  TYPICAL  MAXIMUM  Junction‐to‐Ambient3  RJA    Junction‐to‐Lead4  RJL ...