FOSHAN BLUE ROCKET CS8N60
N-Channel MOSFET
FEATURES
: Low gate charge, low crss, fast switching. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit VDSS 600 V ID(Tc=25℃) 8A ID(Tc=100℃) 4.6 A IDM 30 A VGSS ±30 V EAS 230 mJ EAR 10 mJ IAR 7.5 A PD(Tc=25℃) 48 W TJ,TSTG -55 to 150 ℃ 电性能参数/ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Ta=25℃) 参数符号 测试条件 Symbol Test Conditions BVDSS VGS=0V ID=250μA IDSS VDS=600V VDS=480V VGS=0V TC=125℃ IGSS VGS=±30V VDS=0V VGS(th) VDS=VGS ID=250μA RDS(on) VGS=10V ID=3.75A gFS VDS=40V ID=3.75A VSD VGS=0V IS=7.5A Ciss Coss VDS=25V VGS=0V f=1.0MHz Crss td(on) tr td(off) VDD=300V ID=7.5A RG=25Ω tf 最小值 Min 600 2.0 典型值 Typ 1.0 8.7 965 105 12 16.5 60.5 81 64.5 最大值 Max 1.0 10 ±0.1 4.0 1.2 1.4 1255 135 16 45 130 170 140 佛山 市蓝箭电子有限公司 FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO., LTD. 单位 Unit V μA μA μA V Ω S V pF ns BR8N60(CS8N60) 佛山 市蓝箭电子有限公司 FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO., LTD.