H2N60D Datasheet | HAOHAI

2A, 600V, N沟道 场效应晶体管 产品参数规格书 工业型号 公司型号 通俗命名 FQU2N60C FQD2N60C H2N60U H2N60D 2N60 HAOHAI 封装标识 U: TO-251 D: TO-252 包装方式 条管装 卷盘装 每管数量 80只/管 2.5K/卷 2N60 Series N-Channel MOSFET 每盒数量 4Kpcs/盒 5Kpcs/盒 每箱数量 24Kpcs 25Kpcs 　- Features 　　Originative New Design 　　Superior Avalanche Rugged Technology 　　Robust Gate Oxide Technology 　　Very Low Intrinsic Capacitances 　　Excellent Switching Characteristics 　　Unrivalled Gate Charge: 5.5n C(Typ.) 　　Extended Safe Operating Area 　　Lower RDS(ON): 4.0Ω(Typ.) @ VGS=10V 　　100% Avalanche Tested 　　Package: TO-251 & TO-252（IPAK & DPAK） ID=1.8A BVDSS=600V RDS(on)=4.0Ω 　- 特点 　　导通电阻低,开关速度快,驱动简单,可并联使用,输入阻抗高,符合Ro HS规范 　- 应用范围 　　开关电源、LCD电源、LED驱动电源、机箱电源、UPS电源、 　　各种充电器、电子整流器、电子变压器、逆变器、控制器、转换器、 　　风扇控制板、以及电源适配器、汽车稳压器等线性放大和功率开关电路 　- 封装形式 　　TO-251（IPAK） 　　TO-252（DPAK） 2N60 Series Pin Assignment 3-Lead Plastic TO-251 Package Code: U Pin 1: Gate Pin 2: Drain Pin 3: Source 3-Lead Plastic TO-252 Package Code: D Pin 1: Gate Pin 2: Drain Pin 3:...