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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
HFF5N50
FQPF5N50
█
。
█ （Ta=25℃）
Tstg——………………………………………… -55~150℃ Tj——……………………………………………………… 150℃ VDSS———………………………………………500V
VGS———……………………………………… ±30V
ID——（Tc=25℃）……………………………………5.0A IDM——（）（ 1）………………………………20A PD——（Tc=25℃）………………………………………38W
█
TO-220F
1
1― G 2― D 3― S
█ （Ta=25℃）
BVDSS —
500
IDSS
IGSS
VGS(th) —
2.0
RDS(on) —
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg Qgs — Qgd — Is — VSD — Rth（j-c）
* 1：。 * 2：，≤300μS,≤2%s
1.2 640 86 11.5 12 46 50 48 15.5 2.9 6.4
1 ±100
4.0 1.5 830 111 15 35 100 110 105 20
5.0 1.4 3.31
V μA nA V Ω pF pF pF nS nS nS
nS
nC nC nC
A V
℃/W
ID=250μA ,VGS=0V VDS =650V，VGS=0 VGS=±30V , VDS =0V VDS = VGS , ID =250μA VGS=10V, ID =2.
HFF5N50 Datasheet
