BT15N60A0F datasheet by Huajing Microelectronics.
| Part number | BT15N60A0F |
|---|---|
| Datasheet | BT15N60A0F-HuajingMicroelectronics.pdf |
| File Size | 1.30 MB |
| Manufacturer | Huajing Microelectronics |
| Description | Insulated gate bipolar transistor |
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绝缘栅双极型晶体管 BT15N60 A0F ○R 概述 BT15N60 A0F 采用先进的平面 FS IGBT 技术，具有良好的导 通和开关特性，易并联使用的特点。 符合 RoHS 指令要求。 特点 平面 FS 技术，正温度系数； 低通态压降：VCE(sat),TYP=2.0V @IC=15A,VGE=15V ； 特征参数 VCES IC Ptot （TC=25℃） VCE(sat) 封装：TO-263 600 15 100 2.0 V A W V 用途 电机控制 太阳能逆变器 不间断电源 中高开关频率变频器.
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| Part Number | Description |
|---|---|
| BT15N60A8F | Insulated gate bipolar transistor |
| BT15N60A9F | Silicon FS Planar IGBT |
| BT15N120ANF | Silicon FS Planar IGBT |
| BT15T120ANF | Silicon FS Planar IGBT |
| BT15T120CNF | Silicon FS Planar IGBT |
