Part FF1000R17IE4D_B2
Description IGBT
Manufacturer Infineon
Size 681.46 KB
Infineon

FF1000R17IE4D_B2 Overview

Key Features

  • ExtendedOperationTemperatureTvjop
  • HighDCStability
  • HighCurrentDensity
  • LowSwitchingLosses
  • Tvjop=150°C
  • EnlargedDiodeforregenerativeoperation
  • LowVCEsat MechanischeEigenschaften
  • GehäusemitCTI>400
  • GroßeLuft-undKriechstrecken
  • HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit