FF200R12KT3 Datasheet PDF

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-modules FF200R12KT3 62mm C-Serien Modul mit schnellem Trench/Feldstop IGBT3 und Emitter Controlled High Efficiency Diode 62mm C-series module with fast trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled High Efficiency diode IGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Höchstzulässige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emitter voltage Tvj = 25°C Kollektor-Dauergleichstrom Continuous DC collector current TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C Periodischer Kollektor-Spitzenstrom Repetitive peak collector current tP = 1 ms Gesamt-Verlustleistung Total power dissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitter peak voltage VCES IC nom IC ICRM Ptot VGES 1200 200 295 400 1050 +/-20 V A A A W V Charakteristische Werte / Characteristic Values Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emitter saturation volt