FF200R12KT4 Datasheet PDF

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-modules FF200R12KT4 62mm C-Serien Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und optimierter Emitter Controlled Diode 62mm C-series module with fast trench/fieldstop IGBT4 and optimized Emitter Controlled diode Vorläufige Daten IGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary Data Höchstzulässige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emitter voltage Tvj = 25°C VCES 1200 V Kollektor-Dauergleichstrom Continuous DC collector current TC = 100°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom IC 200 320 A A Periodischer Kollektor-Spitzenstrom Repetitive peak collector current tP = 1 ms ICRM 400 A Gesamt-Verlustleistung Total power dissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 1100 W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitter peak voltage VGES +/-20 V Charakteristische Werte / Characteristic Values Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = 200 A, VGE = 15 V IC...