3DD5011 Datasheet | JILIN SINO-MICROELECTRONICS

低频放大管壳额定的双极型晶体管 CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR 3DD5011 FOR LOW FREQUENCY AMPLIFICATION 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS BVCBO IC VCE(sat) tf 900V 10 A 0.5 V(max) 0.3 μs(max) 用途 z 彩色电视机开关电源 电路 APPLICATIONS z Switching power supply for color TV. 封装 Package TO-3P(H)IS 产品特性 Features 123 z3DD5011 是 NPN 双极型 z 3DD5011 is high breakdown 高反压大功率晶体管，制 voltage of NPN bipolar transistor. 等效电路 EQUIVALENT CIRCUIT 造中采用的主要工艺技 The main process of manufacture: 术有：高压平面工艺技 high voltage planar technology, 术、三重扩散技术等,采 triple diffused process etc., 用塑料全包封结构。环保 adoption of fully plastic packge. （Ro HS）产品。 Ro HS product. 订货信息 ORDER MESSAGE 订货型号 Order codes 印记 无卤素 封装 Marking Halogen Free Package 3DD5011-O-A-N-D D5011 含卤素 TO-3P(H)IS 包装 Packaging 泡沫 Foam 器件重量 Device Weight 5.50 g(typ) 版本：201504A 1/5...