JCS10N65FT
Overview
- 5 T=25℃ T=100℃
- 0* A （ 1） Drain Current - pulse（note 1） IDM 40 40* A Gate-Source Voltage VGSS ±30 V （ 2） Single Pulsed Avalanche Energy（note 2）EAS 713 mJ （ 1） Avalanche Current（note 1） IAR
- 5 A （ 1） Repetitive Avalanche Energy （note 1） EAR
- 8 mJ （ 3） Peak Diode Recovery d
