JCS10N70CH Overview
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS10N70H 主要参数MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS Rdson-max （Vgs=10V） Qg-Typ 10A 700V 1.10Ω 38.0nC 用途 ⚫ 高频开关电源 ⚫ 电子镇流器 ⚫ LED 电源 APPLICATIONS ⚫ High efficiency switch mode power supplies ⚫ Electronic lamp ballasts based on half bridge ⚫ LED power supplies 产品特性 ⚫ 低栅极电荷 ⚫低 Crss (典型值 10pF) ⚫ 开关速度快 ⚫ 产品全部经过雪崩测试 ⚫高抗 dv/dt 能力 ⚫RoHS.
JCS10N70CH Key Features
- Low gate charge -Low Crss (typical 10pF ) -Fast switching -100% avalanche tested -Improved dv/dt capability -RoHS produc
- pulse （note 1） 最高栅源电压 Gate-Source Voltage 单脉冲雪崩能量（注 2） Single Pulsed Avalanche Energy（note 2） 雪崩电流（注 1） Avalanche Curren
- 55～+150
- 漏极电流由最高结温限制 -Drain current limited by maximum junction temperature
- 100 V/ns
- VDS=560V
- 1.0 μA
- 100 μA
- 100 nA
- 100 nA