JCS11N90WT Description
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS11N90WT 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID 11 A VDSS 900 V Rdson（@Vgs=10V） 1.10 Ω Qg 66 nC 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 APPLICATIONS z High efficiency switch mode power supplies z Electronic lamp ballasts based on half bridge z UPS 产品特性 z 低栅极电荷 z低 Crss (典型值 22pF) z 开关速度快 z 产品全部经过雪崩测试 z高抗 dv/dt 能力 zRoHS.
JCS11N90WT Key Features
- 漏极电流由最高结温限制
- Drain current limited by maximum junction temperature
- 100 nA
- 100 nA
- 0.90 1.10 Ω
- 2550 3340 pF
- 210 270 pF
- 22 30 pF