JCS19N20 Description
R JCS19N20 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID VDSS Rdson（@Vgs=10V） Qg 18.0A 200 V 0.18Ω 47nC 封装 Package N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS 产品特性 低栅极电荷 低 Crss (典型值 48pF) 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS.
JCS19N20 Key Features
- Low gate charge -Low Crss (typical 48pF ) -Fast switching -100% avalanche tested -Improved dv/dt capability -RoHS produc
- 55～+150
- 漏极电流由最高结温限制
- Drain current limited by maximum junction temperature
- VDS=0V, VGS =30V
- 100 nA
- 100 nA
- 0.15 0.18 Ω
- 1330 1760 pF
- 181 245 pF