JCS1N60 Datasheet | JILIN SINO-MICROELECTRONICS

N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 1.3 A VDSS 600 V Rdson（Vgs=10V） 8.5 Ω Qg 9.1 n C 封装 Package 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 APPLICATIONS z High efficiency switch mode power supplies z Electronic lamp ballasts based on half bridge z UPS 产品特性 z低栅极电荷 z低 Crss (典型值 4.9p F) z开关速度快 z产品全部经过雪崩测试 z高抗 dv/dt 能力 z Ro HS 产品 Features z Low gate charge z Low Crss (typical 4.9p F ) z Fast switching z100% avalanche tested z Improved dv/dt capability z Ro HS product 订货信息 ORDER MESSAGE 订货型号 印记 Order codes Marking JCS1N60V-O-V-N-B JCS1N60V JCS1N60R-O-R-N-B JCS1N60R JCS1N60S-O-S-N-B JCS1N60S JCS1N60B-O-B-N-B JCS1N60B JCS1N60C-O-C-N-B JCS1N60C JCS1N60F-O-F-N-B JCS1N60F 封装 Package IPAK DPAK TO-263 TO-262 TO-220C TO-220MF 无卤素 Halogen Free 否 NO 否 NO 否 NO 否 NO 否 NO 否 NO 包装 Packaging 条管 Tube 条管 Tube 条管 Tube 条管 Tube 条管 Tube 条管 Tube 器件重量 Device Weight 0.35 g(typ) 0.30 g(typ) 1.37 g(typ) 1.71 g(typ) 2.15 g(typ) 2.20 g(typ) 版本：201110B 1/16 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS...