JCS2N60R Description
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS2N60 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 2.0 A VDSS 600 V Rdson（@Vgs=10V） 5 Ω Qg 15.3 nC 封装 Package 用途 高频开关电源 电子镇流器 LED 电源 APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED power supply 产品特性 低栅极电荷 低CrssB B (典型值 7.6pF) 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS.
JCS2N60R Key Features
- Low gate charge -Low CrssB B (typical 7.6pF ) -Fast switching -100% avalanche tested -Improved dv/dt capability -RoHS pr
- pulse IDMB B （note 1）
- 55～+150
- 漏极电流由最高结温限制
- Drain current limited by maximum junction temperature
- 100 μA
- 100 nA
- 100 nA
- 3.8 5.0 Ω