JCS2N60U Overview
R N 沟道增强型场效应晶体管 JCS2N60 U/I 产品特性 600V,RDS=5.0 Ω@VGS=10V 低栅极电荷(典型值 12.5nC) 低 Crss(典型值 7.6pF) 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 主要用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 概述 JCS2N60U/I 是 N 沟道增强型场效应晶体管,采用平 面 VDMOS 技术制造。利用该技术可以获得最低的导通电阻, 提高开关特性,提高产品在雪崩击穿和串并模式下承受高 能量脉冲的能力。.

