JILIN SINO-MICROELECTRONICS JCS3N25VT
N-CHANNEL MOSFET
| Part No. | JCS3N25VT |
|---|---|
| Datasheet | JCS3N25VT Download |
| Manufacturer |  JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
| Description | N-CHANNEL MOSFET |
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APPLICATIONS
● High frequency switching mode power supply● Electronic ballast
● UPS 产品特性
●低栅极电荷
●低 Crss (典型值 4.5pF)
●开关速度快
●产品全部经过雪崩测试
●高抗 dv/dt 能力
●RoHS 产品
FEATURES
●Low gate charge●Low Crss (typical 4.5pF )
●Fast switching
●100% avalanche tested
●Improved dv/dt capability
●RoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE 订货型号 Order codes 印记 Marking JCS3N25VT-O-V-N-B JCS3N25RT-O-R-N-B JCS3N25RT-O-R-N-A JCS3N25CT-O-C-N-B JCS3N25FT-O-F-N-B JCS3N25VT JCS3N25RT JCS3N25RT JCS3N25CT JCS3N25FT 封装 Package IPAK DPAK DPAK TO-220C TO-220MF 无卤素 Halogen Free 否 NO 否 NO 否 NO 否 NO 否 NO 包装 Packaging 条管 Tube 条管 Tube 编带 Brede 条管 Tube 条管 Tube 器件重量 Device Weight 0.35 g(typ) 0.30 g(typ) 0.30 g(typ) 2.15 g(typ) 2.20 g(typ) 版本：201510G 1/12 R JCS3N25T 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项目 Parameter 符号 Symbol 数值 Value JCS3N25VT/RT/CT JCS3N25FT 最高漏极－源极直流电压 Drain-Source Voltage VDSS 250 250 连续漏极电流 Drain Current -continuous ID T=25℃ T=100℃ 3 1.98 3* 1.55* 最大脉冲漏极电流（注 1） Drain Current - pulse （note 1） IDM 12 12* 最高栅源电压 Gate-Source...
