JCS3N25VT Overview
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS3N25T 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID 3 A VDSS 250 V Rdson（@Vgs=10V） 1.74Ω Qg 4.4 nC 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 APPLICATIONS z High frequency switching mode power supply z Electronic ballast z UPS 产品特性 z低栅极电荷 z低 Crss (典型值 4.5pF) z开关速度快 z产品全部经过雪崩测试 z高抗 dv/dt 能力 zRoHS.
JCS3N25VT Key Features
- 55～+150
- 漏极电流由最高结温限制 -Drain current limited by maximum junction temperature
- 100 nA
- 100 nA
- 1.5 1.74 Ω
- 130 170 pF
- 30 40 pF
- 4.5 5.8 pF