JCS3N25CT Datasheet | JILIN SINO-MICROELECTRONICS

N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS3N25T 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID 3 A VDSS 250 V Rdson（@Vgs=10V） 1.74Ω Qg 4.4 n C 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 APPLICATIONS z High frequency switching mode power supply z Electronic ballast z UPS 产品特性 z低栅极电荷 z低 Crss (典型值 4.5p F) z开关速度快 z产品全部经过雪崩测试 z高抗 dv/dt 能力 z Ro HS 产品 Features z Low gate charge z Low Crss (typical 4.5p F ) z Fast switching z100% avalanche tested z Improved dv/dt capability z Ro HS product 订货信息 ORDER MESSAGE 订货型号 Order codes 印记 Marking JCS3N25VT-O-V-N-B JCS3N25RT-O-R-N-B JCS3N25RT-O-R-N-A JCS3N25CT-O-C-N-B JCS3N25FT-O-F-N-B JCS3N25VT JCS3N25RT JCS3N25RT JCS3N25CT JCS3N25FT 封装 Package IPAK DPAK DPAK TO-220C TO-220MF 无卤素 Halogen Free 否 NO 否 NO 否 NO 否 NO 否 NO 包装 Packaging 条管 Tube 条管 Tube 编带 Brede 条管 Tube 条管 Tube 器件重量 Device Weight 0.35 g(typ) 0.30 g(typ) 0.30 g(typ) 2.15 g(typ) 2.20 g(typ) 版本：201302C 1/12 R JCS3N25T 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项目 Parameter 符号 Symbol 数值 Value JCS3N25VT/RT/CT JCS3N25FT 最高漏极－源极直流电压 Drain-Source...