JCS4N65B Datasheet | JILIN SINO-MICROELECTRONICS

N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS Rdson （@Vgs=10V） Qg 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 4.0 A 6R 0 V 2.R Ω 13.3n C APPLICATIONS z High efficiency switch mode power supplies z Electronic lamp ballasts based on half bridge z UPS Features z Low gate charge z Low Crss (typical 9p F ) z Fast switching z 100% avalanche tested z Improved dv/dt capability z Ro HS product 产品特性 z 低栅极电荷 z 低 Crss (典型值 9p F) z 开关速度快 z 产品全部经过雪崩测试 z 高抗 dv/dt 能力 z Ro HS 产品 订货信息 ORDER MESSAGE 订 货 型 号 Order codes JCS4N65VB-O-V-N-B JCS4N65RB-O-R-N-B JCS4N65CB-O-C-N-B JCS4N65FB-O-F-N-B 印 记 封 装 无卤素 Halogen Free 否 否 否 否 NO NO NO NO 包 装 Packaging 条管 Tube 条管 Tube 条管 Tube 条管 Tube 器件重量 Device Weight 0.35 g(typ) 0.30 g(typ) 2.15 g(typ) 2.20 g(typ) Marking JCS4N65VB JCS4N65RB JCS4N65CB JCS4N65FB Package IPAK DPAK TO-220C TO-220MF 版本：201011A 1/12 绝对最大额定值 项 目 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 数 符 号 JCS4N65VB/RB Value 值 单 位 JCS4N65FB Uni t V 4.0- 2.5- A A Parameter 最高漏极－源极直流电压 Drain-Source Voltage 连续漏极电流 Drain Current Symbol JCS4N65CB 650 VDSS ID T=25℃ T=100℃ IDM 4.0 2.5 -continuous 最大脉冲漏极电流（注 1） Drain Current - pulse （note 1） 最高栅源电压 Gate-Source Voltage 单脉冲雪崩能量（注 2） Single Pulsed Avalanche Energy note 2） 雪崩电流（注 1） Avalanche Current （note 1） 重复雪崩能量（注 1） Repetitive Avalanche Current （note 1） 二极管反向恢复最大电压变化 速率（注 3） Peak Diode Recovery dv/dt （note 3） 16-...