JCS4N65F Description
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS4N65F 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID 4.0 A VDSS 650 V Rdson（Vgs=10V） 2.8Ω Qg 27nC 用途 高频开关电源 电子镇流器 LED 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED power supplies 产品特性 低栅极电荷 低 Crss (典型值 14pF) 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS.
JCS4N65F Key Features
- Low gate charge -Low Crss (typical 14pF ) -Fast switching -100% avalanche tested -Improved dv/dt capability -RoHS produc
- pulse （note 1）
- 漏极电流由最高结温限制
- Drain current limited by maximum junction temperature
- 100 μA
- 100 nA
- 100 nA
- 2.1 2.8 Ω
- 710 920 pF
- 65 85 pF