JCS50N06RH Overview
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS50N06H 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS Rdson-max （@Vgs=10V） Qg-typ 50 A 60 V 23 mΩ 34 nC 用途 高频开关电源 UPS 电源 APPLICATIONS High frequency switch mode power supplies UPS 产品特性 低栅极电荷 低 Crss 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS.
JCS50N06RH Key Features
- Low gate charge -Low Crss -Fast switching -100% avalanche tested -Improved dv/dt capability -RoHS product
- pulse（note 1）
- 漏极电流由最高结温限制 -Drain current limited by maximum junction temperature
- VDS=48V, TC=125℃
- VDS=0V, VGS =30V
- 100 nA
- 100 nA
- 19 23 mΩ
- 900 1125 pF
- 430 540 pF