JCS55N06CH Description
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS55N06CH 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID 55 A VDSS 60 V Rdson（@Vgs=10V） 18 mΩ Qg 43nc 用途 高频开关电源 UPS 电源 APPLICATIONS High frequency switch mode power supplies UPS 产品特性 低栅极电荷 低 Crss 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS.
JCS55N06CH Key Features
- Low gate charge -Low Crss -Fast switching -100% avalanche tested -Improved dv/dt capability -RoHS product
- pulse（note 1）
- 漏极电流由最高结温限制 -Drain current limited by maximum junction temperature
- 100 μA
- 100 nA
- 100 nA
- 3.55 V
- 15.5 18 mΩ 34.7
- ns ns ns ns nC nC nC