JCS5N50T Datasheet | JILIN SINO-MICROELECTRONICS

N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS Rdson （@Vgs=10V） Qg 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 5A 500 V 1.6Ω 15 nC APPLICATIONS z High efficiency switch mode power supplies z Electronic lamp ballasts based on half bridge z UPS Features z Low gate charge z Low Crss (typical 16pF ) z Fast switching z 100% avalanche tested z Improved dv/dt capability z RoHS product 产品特性 z 低栅极电荷 z 低 Crss (典型值 16pF) z 开关速度快 z 产品全部经过雪崩测试 z 高抗 dv/dt 能力 z RoHS 产品 订货信息 ORDER MESSAGE 订 货 型 号 Order codes JCS5N50VT-O-V-N-B JCS5N50RT-O-R-N-B JCS5N50CT-O-C-N-B JCS5N50FT-O-F-N-B 印 记 封 装 无卤素 Halogen Free 否 否 否 否 NO NO NO NO 包 装 器件重量 Device Weight 0.35 g(typ) 0.30 g(typ)...