JCS5N60B Datasheet | JILIN SINO-MICROELECTRONICS

N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package R . 0 A ID = 600 V VDSS Rdson （@Vgs=10V） 2.4Ω 13.3nC Qg 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 APPLICATIONS z High efficiency switch mode power supplies z Electronic lamp ballasts based on half bridge z UPS Features z Low gate charge z Low Crss (typical 9pF ) z Fast switching z 100% avalanche tested z Improved dv/dt capability z RoHS product 产品特性 z 低栅极电荷 z 低 Crss (典型值 9pF) z 开关速度快 z 产品全部经过雪崩测试 z 高抗 dv/dt 能力 z RoHS 产品 订货信息 ORDER MESSAGE 订 货 型 号 Order codes JCS5N60VB-O-V-N-B JCS5N60RB-O-R-N-B JCS5N60CB-O-C-N-B JCS5N60FB-O-F-N-B 印 记 封 装 无卤素 Halogen Free 否 否 否 否 NO NO NO NO 包 装 Packaging 条管 Tube 条管 Tube 条管 Tube 条管...