• Part: JCS640C
  • Description: N-CHANNEL MOSFET
  • Category: MOSFET
  • Manufacturer: JILIN SINO-MICROELECTRONICS
  • Size: 1.15 MB
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JILIN SINO-MICROELECTRONICS
JCS640C
FEATURES z Low gate charge z Low Crss (typical 48p F ) z Fast switching z 100% avalanche tested z Improved dv/dt capability z Ro HS product 产品特性 z 低栅极电荷 z 低 Crss (典型值 48p F) z 开关速度快 z 产品全部经过雪崩测试 z 高抗 dv/dt 能力 z Ro HS 产品 订货信息 ORDER MESSAGE 订 货 型 号 Order codes JCS640C-O-C-N-B JCS640F-O-F-N-B 印 记 封 装 否 否 无卤素 Halogen Free NO NO 包 装 器件重量 Device Weight 2.15 g(typ) 2.20 g(typ) Marking JCS640C JCS640F Package TO-220C TO-220MF Packaging 条管 Tube 条管 Tube 版本:201007A 1/10 JCS640 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 符 号 JCS640C 200 18 11.4 18- 11.4- 数 值 JCS640F Value 单 位 Unit V A A 项 目 绝对最大额定值 Parameter 最高漏极-源极直流电压 Drain-Source Voltage 连续漏极电流 Drain Current Symbol VDSS ID T=25℃ T=100℃ IDM -continuous 最大脉冲漏极电流(注 1) Drain Current - pulse (note 1) 最高栅源电压 Gate-Source Voltage 单脉冲雪崩能量(注 2) Single Pulsed Avalanche Energy(note 2) 雪崩电流(注 1) Avalanche Current(note 1) 重复雪崩能量(注 1) Repetitive Avalanche Current (note 1) 二极管反向恢复最大电压变化 速率(注 3) Peak Diode Recovery dv/dt (note 3) 72- VGSS ±30 259 m...