• Part: JCS730V
  • Manufacturer: JILIN SINO-MICROELECTRONICS
  • Size: 1.06 MB
Download JCS730V Datasheet PDF
JCS730V page 2
Page 2
JCS730V page 3
Page 3

JCS730V Description

N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS730 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID 5.5 A VDSS 400 V Rdson(Vgs=10V) 1.0 Ω Qg 31 nC 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 APPLICATIONS z High frequency switching mode power supply z Electronic ballast z UPS 产品特性 z低栅极电荷 z低 Crss (典型值 22pF) z开关速度快 z产品全部经过雪崩测试 z高抗 dv/dt 能力 zRoHS.

JCS730V Key Features

  • pulse (note 1)
  • 55~+150
  • 漏极电流由最高结温限制
  • Drain current limited by maximum junction temperature
  • 100 μA
  • 100 nA
  • 100 nA
  • 0.83 1.0 Ω
  • 550 720 pF
  • 85 110 pF