JCS80N10WF Overview
N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET R JCS80N10F 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 80 A VDSS 100 V Rdson（@Vgs=10V） 12 mΩ Qg 115nC 封装 Package 产品用途 z用 于 高 功 率 DC/DC 转换和功 率开关 z 直流电机控制和 D 类放大器 APPLICATIONS z High efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supply z DC Motor control and Class D Amplifier 产品特性 z低栅极电荷 z 低Crss z开关速度快 z产品全部经过雪崩测试 z高抗 dv/dt 能力 zRoHS.
JCS80N10WF Key Features
- pulse（note 1）
- 漏极电流由最高结温限制 -Drain current limited by maximum junction temperature
- 55～+175
- 100 nA
- 100 nA
- 9.7 12 mΩ