JCS9N50F Description
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS9N50F 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS Rdson-max （@Vgs=10V） Qg-typ 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 8A 500 V 0.8 Ω 59 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS 产品特性 低栅极电荷 低C rss B B (典型值 35pF) 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS.
JCS9N50F Key Features
- Low gate charge
- Fast switching
- 100% avalanche tested
- Improved dv/dt capability
- RoHS product
- pulse （note 1）
- Derate
- 55～+150
- 漏极电流由最高结温限制
- Drain current limited by maximum junction temperature