JCS4N90A Overview
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS4N90A 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 4.0 A VDSS 900 V Rdson（Vgs=10V） -MAX 3.3Ω Qg-Typ 14.7nC 封装 Package 用途 高频开关电源. 电子镇流器 LED 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED power supplies 产品特性 平面 MOS 低栅极电荷 低 Crss（典型值 15pF） 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS.
JCS4N90A Key Features
- Planar MOS -Low gate charge -Low Crss (typical 15pF ) -Fast switching -100% avalanche tested -Improved dv/dt capability
- pulse （note 1） 最高栅源电压
- Derate above
- 漏极电流由最高结温限制 -Drain current limited by maximum junction temperature
- VDS=720V, TC=125℃
- 100 μA
- 100 nA
- 100 nA
- 2.6 3.3 Ω