Datasheet Summary
N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET
JCS620T
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
5A
VDSS
200 V
Rdson-max （@Vgs=10V）
0.8Ω
Qg-typ
7.39nC
封装 Package
用途
- 高频开关电源
- 电子镇流器
- UPS 电源
APPLICATIONS
- High efficiency switch mode power supplies
- Electronic lamp ballasts based on half bridge
- UPS
产品特性
Features
- 低栅极电荷
- Low gate charge
- 低 Crss
- Low Crss
- 开关速度快
- Fast switching
- 产品全部经过雪崩测试
- 100% avalanche tested
- 高抗 dv/dt...