JCS620VT Description
N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET R JCS620T 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 5A VDSS 200 V Rdson-max （@Vgs=10V） 0.8Ω Qg-typ 7.39nC 封装 Package 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS 产品特性.
JCS620VT Key Features
- Low gate charge
- 低 Crss
- Low Crss
- Fast switching
- 产品全部经过雪崩测试 -100% avalanche tested
- 高抗 dv/dt 能力
- Improved dv/dt capability
- RoHS 产品
- RoHS product
- Derate