Datasheet Summary
N 沟道增强型场效应晶体管
N-CHANNEL MOSFET
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
6A
VDSS
1350 V
Rdson（Vgs=10V）
-MAX
3.5Ω
Qg-Typ
58.1 nC
封装 Package
用途
- 高频开关电源.
- 电子镇流器
- 电源
APPLICATIONS
- High efficiency switch mode power supplies
- Electronic lamp ballasts based on half bridge
- power supplies
产品特性
Features
- 平面 MOS
- Planar MOS
- 低栅极电荷
- Low gate charge
- 低 Crss（典型值 6.14pF）- Low Crss (typical 6.14pF )
- 开关速度快
- Fast switching
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