JCS830B Overview
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS830 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID 4.5 A VDSS 500 V Rdson（Vgs=10V） 1.5 Ω Qg 32 nC 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS 产品特性 低栅极电荷 低 Crss (典型值 17pF) 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS.
JCS830B Key Features
- Low gate charge -Low Crss (typical 17pF ) -Fast switching -100% avalanche tested -Improved dv/dt capability -RoHS produc
- pulse 1）
- Derate
- 55～+150
- 漏极电流由最高结温限制
- Drain current limited by maximum junction temperature
- 100 μA
- 100 nA
- 100 nA
- 1.16 1.5 Ω
