JCS86N25GCT Overview
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS86N25T 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 86 A VDSS 250 V Rdson（Vgs=10V） -MAX 50mΩ Qg-Typ 123 nC 封装 Package 用途 高频开关电源. 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS power supplies 产品特性 低栅极电荷 低 Crss（典型值 78pF） 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS.
JCS86N25GCT Key Features
- Low gate charge -Low Crss (typical 78pF ) -Fast switching -100% avalanche tested -Improved dv/dt capability -RoHS produc
- pulse （note 1） 最高栅源电压
- Derate above
- 55～+150
- 漏极电流由最高结温限制 -Drain current limited by maximum junction temperature
- 100 μA
- 100 nA
- 100 nA
- 37 50 mΩ
- 76.6 VDD=125V,ID=69A,RG=25Ω，VGS