JCS9N90ABT Overview
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS9N90T 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS Rdson-Max （Vgs=10V） Qg 用途 高频开关电源 电子镇流器 LED 电源 9A 900 V 1.35 Ω 43 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED power supplies 产品特性 低栅极电荷 低 Crss (典型值 13pF) 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS.
JCS9N90ABT Key Features
- Low gate charge -Low Crss (typical 13pF ) -Fast switching -100% avalanche tested -Improved dv/dt capability -RoHS produc
- 55～+150
- 漏极电流由最高结温限制
- Drain current limited by maximum junction temperature
- 100 nA
- 100 nA
- 1.18 1.35 Ω
- 2.07 2.50 Ω
- 3.07 3.60 Ω